Fonones ópticos polares de longitud de onda larga en heteroestructuras semiconductoras basadas en nitruros III-V con simetría de Zincblenda

Aunque existen modelos microscópicos bien establecidos para el estudio de los modos de vibración en los sólidos (esquemas ab-initio, de dinámica de red, pseudo-potenciales, etc.) los estudios teóricos de mecanismos de scattering por fonones recurren usualmente al tratamiento continuo de la vibración de la red. La razón de recurrir a un tratamiento continuo estriba, por una parte, en la necesidad de reducir la complejidad del problema que conlleva el tratamiento microscópico y por la otra al hecho de que en una mayoría de situaciones de interés, las energías de los portadores involucrados son suficientemente pequeñas como para limitar las interacciones a los modos de longitud de onda larga. Esta situación es la que justifica con mayor fuerza el empleo de modelos de tipo continuo. La mayoría de los materiales semiconductores empleados en la fabricación de heteroestructuras de baja dimensionalidad, tales como pozos, hilos o puntos cuánticos son iónicos polares. Por tanto, en estas estructuras existe una carga local que provoca una considerable interacción coulombiana con la red. La presencia del electrón en el campo iónico del cristal polariza este último y la polarización actúa sobre el electrón, modificando así sus propiedades. Entonces, nuestro trabajo fue calcular y analizar las propiedades de los modos fonónicos ópticos polares de longitud de onda larga en una heteroestructura doble del tipo AlN/GaN/AlN con simetría cristalina de zincblenda, en el marco de una descripción fenomenológica continua, encontrando la particularidad manifestación de modos conocidos como propagativos.

Participante: Cristian Alfredo Ospina de la Cruz

Institución: CInC-UAEM

Lugar: Auditorio ICF

Fecha y hora: Este evento terminó el Jueves, 17 de Septiembre de 2015