"Propiedades ópticas lineales y no lineales para heteroestructuras cuánticas semiconductoras en materiales III-V y II-VI."

Los pozos cuánticos de semiconductores III-V, en particular la heteroestructura AlGaAs/GaAs, son sistemas que poseen propiedades interesantes en la búsqueda de diseñar dispositivos electrónicos y ópticos más confiables y eficientes. Los pozos cuánticos dobles con diferentes perfiles y los puntos cuánticos esféricos presentan una fenomenología interesante, ya que como función de los anchos de los pozos, la barrera central o de la altura de las barreras adyacentes, permiten sintonizar una gran cantidad de propiedades físicas con potenciales aplicaciones. Recientemente hemos iniciado investigaciones de estos problemas en materiales II-VI como por ejemplo el AlGaN/GaN. En esta plática presentamos un resumen de los principales resultados del estudio de los efectos de campos eléctricos, magnéticos y presión hidrostática para estos sistemas trabajando en la aproximación de masa efectiva. Planteamos posibles aplicaciones de este tipo de sistemas en dispositivos ópticos.

Transmisión vía Youtube en: bit.ly/YouTube_ICF

Participante: Dr. J. C. Martínez-Orozco

Institución: Universidad Autónoma de Zacatecas

Fecha y hora: Este evento terminó el Miércoles, 25 de Agosto de 2021